K39N60W5 TK39N60W5 TK39N60W Power MOSFET TO-247 N-channel 38.8A 600V chip zamienny
Uaktualnij swoje zasilanie Bitmain z najlepszym silikonowym N-Channel MOSFET
Popraw wydajność wydobycia za pomocą TK39N60W5 Mosfet
Czy jesteś zmęczony awariami zasilania, które powodują znaczne straty w górnictwie?Ten MOSFET ma napięcie 600V i prąd 39A, co czyni go idealnym wyborem dla Twoich potrzeb w zakresie zasilania Antminera.
Najwyższe cechy MOSFET, w tym niskie odporność na źródło odpływu RDS ((ON) = 0,055 Ohm (typowy), a jego innowacyjna struktura super łącza DTMOS, czynią go najlepszym wyborem dla platformy górniczej.Łatwo sterowany tryb przełączania i wzmacniania bramki z Vth = 2,7 do 3,7 V (VDS = 10 V, ID = 1,9 mA) zapewnia, że zasilanie działa z maksymalną wydajnością, oszczędzając pieniądze w dłuższej perspektywie.Inwestuj w najlepsze i bądź pewien, że twój proces wydobywczy poprawi swoją wydajność z TK39N60W5 Mosfet.
|
Napięcie źródła odpływu |
VDSS |
600 |
V |
|
Napięcie źródła bramy |
VGSS |
± 30 |
V |
|
Prąd odpływowy (DC) |
Identyfikacja |
38.8 |
A |
|
Prąd odpływowy (impulsowy) |
IDP |
155 |
A |
|
Rozpraszanie mocy |
PD |
270 |
W |
|
Energia lawiny pojedynczego impulsu |
EAS |
608 |
mJ |
|
Prąd lawinowy |
IAR |
9.7 |
A |
|
Prąd odwrotnego odpływu (DC) |
IDR |
38.8 |
A |
|
Prąd odpływowy odwrotny (impulsowy) |
IDRP |
155 |
A |
|
Temperatura kanału |
Tch |
150 |
C |
|
Temperatura przechowywania |
Tstg |
-55 do 150 |
C |
|
Moment montażowy |
TOR |
0.8 |
N m |